Low CAP TVS
Wafer NO.
Type
DIE Size（um）
Scribe lane
Wafer size(inch)
GDPW
Top Metal
PAD Open
Wafer thickness
Back side metal
Operating Voltage
VBR（1mA）
CAP(L-G)
IPP(L-G)
Vc(Max)(L-G)
芯片名稱
類型
單科芯片大小
劃片槽
芯片尺寸
數量/片
頂層金屬
焊盤尺寸
減薄厚度
背面金屬
工作電壓
擊穿電壓
電容
電流（8/20）
箝位電壓
-
TX118A雙向/單通道/低容210*2105063570004um ALSICU75*75μm150umTiNiAg5V6.5-9V0.8pF2A15V
-
TX101A單向/四通道/低容440*3675061000004um ALSICU75*75μm150umTiNiAg5V6.5-9V0.6pF5A/8A13/13V
-
TX100A單向/四通道/低容360*3605061240004um ALSICU75*75μm150umTiNiAg5V6.5-9.5V0.6pF4.5A/17A14/16V
-
TX088A單向/單通道/低容210*2105063570004um ALSICU75*75μm150umTiNiAg5V6.5-9V0.5pF4A25V
