Normal CAP TVS
Wafer NO.
Type
DIE Size（um）
Scribe lane
Wafer size(inch)
GDPW
Top Metal
PAD Open
Wafer thickness
Back side metal
Operating Voltage
VBR（1mA）
CAP(L-G)
IPP(L-G)
Vc(Max)(L-G)
芯片名稱
類型
單科芯片大小
劃片槽
芯片尺寸
數量/片
頂層金屬
焊盤尺寸
減薄厚度
背面金屬
工作電壓
擊穿電壓
電容
電流（8/20）
箝位電壓
-
TX301A雙向/單通道/小功率215*2154063500004um ALSICU?120μm150umTiNiAg5V5.6-9.5V7pF4A15V
-
TX127A雙向/單通道/小功率200*2004087000004um ALSICU?120μm150umTiNiAg4.5V5-7V15pF6A9V
-
TX126A雙向/單通道/小功率200*2004087000004um ALSICU?120μm150umTiNiAg5V6.5-8V15pF6A12V
-
TX124A雙向/單通道/小功率200*2004087000004um ALSICU?120μm150umTiNiAg5V6.5-8V5pF5A14V
-
TX123B雙向/單通道/小功率220*2204086000004um ALSICU?140μm140umTiNiAg3.3V4-7V18pF8A9V
-
TX122B雙向/單通道/小功率220*2204086000004um ALSICU?140μm140umTiNiAg4.5V5.1-8V18pF8A10V
-
TX121B雙向/單通道/小功率220*2204086000004um ALSICU?140μm140umTiNiAg5V7-9V18pF8A12V
